Quá trình oxy hóa nhiệt của tấm siliconlà một quá trình trong đó một lớp silicon dioxide được hình thành trên bề mặt tấm wafer silicon dưới nhiệt độ cao. Quá trình này được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị bán dẫn và vi điện tử.
Trong quá trình này, tấm wafer silicon được đặt trong lò nung và nung ở nhiệt độ cao với sự có mặt của oxy hoặc hơi nước. Khi nhiệt độ tăng lên, oxy hoặc hơi nước sẽ phản ứng với các nguyên tử silicon trên bề mặt tấm bán dẫn, tạo thành một lớp silicon dioxide.
Độ dày của lớp oxit có thể được kiểm soát bằng cách điều chỉnh nhiệt độ và thời gian của quá trình. Lớp oxit thu được có bề mặt nhẵn và độ tinh khiết cao, rất cần thiết để sản xuất các thiết bị bán dẫn chất lượng cao.
Quá trình oxy hóa nhiệt là một bước quan trọng trong quá trình sản xuất các thiết bị bán dẫn vì nó cung cấp một lớp bảo vệ có thể ngăn ngừa ô nhiễm và cải thiện độ tin cậy cũng như hiệu suất của thiết bị. Hơn nữa, lớp oxit có thể hoạt động như một chất cách điện, cho phép tạo ra các vùng vật liệu bán dẫn khác nhau với các đặc tính điện khác nhau.
Tóm lại, quá trình oxy hóa nhiệt của tấm silicon là một quá trình quan trọng trong sản xuất các thiết bị bán dẫn và vi điện tử. Nó cung cấp một lớp oxit đồng nhất, chất lượng cao giúp cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị, đồng thời cho phép tạo ra các vùng vật liệu bán dẫn khác nhau với các đặc tính điện khác nhau.