Giới thiệu về Vi điện tử Sibranch
Được thành lập vào năm 2006 và có trụ sở chính tại Ninh Ba, Trung Quốc, Sibranch Microelectronics được thành lập bởi đội ngũ chuyên gia khoa học vật liệu có thâm niên trong ngành bán dẫn. Sứ mệnh của chúng tôi là cung cấp-các tấm bán dẫn chất lượng cao và các dịch vụ liên quan cho khách hàng trên toàn thế giới.
Phạm vi sản phẩm của chúng tôi
Chúng tôi chuyên về một danh mục toàn diện các tấm silicon, bao gồm:
- Tấm wafer được đánh bóng một mặt (SSP) và đánh bóng hai mặt (DSP) tiêu chuẩn-
- Tấm wafer thử nghiệm và tấm wafer cấp cao nhất
- Tấm silicon-trên-Chất cách điện (SOI)
- Tấm wafer Coinroll
- Đường kính có sẵn lên tới 12 inch
- Phương pháp tăng trưởng: CZ, MCZ và FZ
- Tùy chọn tùy chỉnh: Chiếu xạ neutron, bất kỳ hướng tinh thể nào,-các chất nền cắt rời, phạm vi điện trở suất rộng (cao và thấp), tấm bán dẫn siêu-phẳng, siêu-và dày
Giá trị-Dịch vụ gia tăng
Ngoài việc cung cấp wafer, đội ngũ giàu kinh nghiệm của chúng tôi còn cung cấp khả năng xử lý tiên tiến:
- Lắng đọng màng mỏng (các lớp Oxit, Nitride, Metal)
- Dịch vụ epitaxy và tăng trưởng epiticular silicon (SOS, GaN, GOI, v.v.)
- Làm mỏng wafer, mài lại và thái hạt lựu
Bánh xốp đặc biệt
Chúng tôi cũng cung cấp nhiều loại chất nền tinh thể đặc biệt:
- Tấm sapphire: 2" đến 8", có sẵn ở mặt phẳng A-, mặt phẳng R-, mặt phẳng M-, mặt phẳng C- với các tùy chọn đánh bóng epi- và mài mịn
- tấm wafer GaAs: 2" đến 8", loại P-, loại N-, bán-dẫn điện và bán-cách điện
- tấm wafer SiC: 4" đến 12", đa kiểu SI 4H-N, 6H-N và 6H-SI
- Tấm kính: 1" đến 12", vật liệu Silica, Borofloat và B270 hợp nhất
- Tấm thạch anh đơn tinh thể: hướng cắt 2" đến 6", X-, cắt Y- và hướng cắt Z-
