Name: Nhà máy cung cấp các nhà sản xuất wafer SiC Trung Quốc - Báo giá wafer SiC tùy chỉnh
Brand: Sibranch
SKU: 226007395

Mô tả

Thông số kỹ thuật

Mô tả Sản phẩm

Tấm wafer và chất nền Silicon Carbide (SiC) là những vật liệu chuyên dụng được sử dụng trong công nghệ bán dẫn được làm từ cacbua silic, một hợp chất được biết đến với tính dẫn nhiệt cao, độ bền cơ học tuyệt vời và vùng cấm rộng. Đặc biệt cứng và nhẹ, các tấm wafer và chất nền SiC cung cấp nền tảng vững chắc để chế tạo các thiết bị điện tử tần số cao, công suất cao, chẳng hạn như điện tử công suất và các thành phần tần số vô tuyến.

Đặc tính độc đáo của tấm silicon cacbua khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao, môi trường khắc nghiệt và cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng.

So với các thiết bị Si thông thường, các thiết bị nguồn dựa trên SiC có tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, điện áp cao hơn, điện trở ký sinh thấp hơn, kích thước nhỏ hơn và cần làm mát ít hơn do khả năng chịu nhiệt độ cao.

Tấm silicon cacbua của chúng tôi có sẵn với nhiều kích cỡ và thông số kỹ thuật khác nhau, cho phép khách hàng lựa chọn tùy chọn tốt nhất cho nhu cầu cụ thể của họ. Chúng tôi cung cấp cả tấm wafer trần và tấm wafer epiticular, đồng thời chúng tôi có thể tùy chỉnh sản phẩm của mình để đáp ứng yêu cầu của bất kỳ dự án nào.

Tại SiBranch, chúng tôi cam kết cung cấp cho khách hàng dịch vụ và hỗ trợ ở mức cao nhất. Đội ngũ chuyên gia của chúng tôi luôn sẵn sàng giải đáp mọi thắc mắc và đưa ra hướng dẫn về các sản phẩm và giải pháp tốt nhất cho dự án của bạn. SiBranch cung cấp nhiều loại sản phẩm và dịch vụ để đáp ứng nhu cầu đa dạng của khách hàng. Hãy liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về các sản phẩm của chúng tôi và cách chúng tôi có thể giúp bạn đạt được mục tiêu của mình.

4H N-LOẠI SiC 100MM, 350THÔNG SỐ KỸ THUẬT wafer μm
Số bài viết	W4H100N-4-PO (hoặc CO)-350
Sự miêu tả	Chất nền SiC 4H
đa hình	4H
Đường kính	(100+0.0-0.5) mm
độ dày	(350±25) μm (Cấp kỹ thuật ±50μm)
Loại nhà cung cấp dịch vụ	loại n
Tạp chất	Nitơ
Điện trở suất (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Cấp kỹ thuật<0.025Ω▪cm)
Định hướng wafer	(4+0.5) độ
	Lớp kỹ thuật	Lớp sản xuất	Lớp sản xuất
	2.1	2.2	2.3
Mật độ micropipe	Nhỏ hơn hoặc bằng 30cm-²	Nhỏ hơn hoặc bằng 10cm-²	Nhỏ hơn hoặc bằng 1cm-²
Khu vực miễn phí micropipe	Không được chỉ định	Lớn hơn hoặc bằng 96%	Lớn hơn hoặc bằng 96%
Định hướng phẳng (OF)
Định hướng	Song song {1-100} ±5 độ
Định hướng chiều dài phẳng	(32,5±2.0) mm
nhận dạng phẳng (IF)
Định hướng	Mặt Si: 90 độ cw, từ hướng phẳng ±5 độ
xác định chiều dài phẳng	(18.0+2.0) mm
Bề mặt	Tùy chọn1: Đánh bóng tiêu chuẩn mặt Si-Sơn đánh bóng quang học mặt C có sẵn Epi
	Tùy chọn2: Đánh bóng quang học mặt CMP, Si-face CMP Epi-ready
Bưu kiện	Hộp vận chuyển nhiều wafer (25)
	(Gói wafer đơn theo yêu cầu)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT 6H N-TYPE SiC, 2"WAFER
Số bài viết	W6H51N-0-CH-250-S
Sự miêu tả	Chất nền SiC lớp 6H sản xuất
đa hình	6H
Đường kính	(50,8±38) mm
độ dày	(250±25) à
Loại nhà cung cấp dịch vụ	loại n
Tạp chất	Nitơ
Điện trở suất (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Định hướng wafer	(0+0.5) độ
Mật độ micropipe	Nhỏ hơn hoặc bằng 100cm-²
Định hướng định hướng phẳng	Song song {1-100} ±5 độ
Định hướng chiều dài phẳng	(15,88±1,65) mm
Nhận dạng hướng phẳng	Mặt Si: 90 độ cw. hướng lông mày phẳng ±5 độ
xác định chiều dài phẳng	(8+1.65) mm
Bề mặt	Sơn bóng tiêu chuẩn Si-face Epi-ready
Bề mặt	Mặt chữ C mờ
Bưu kiện	Gói gói wafer đơn hoặc hộp vận chuyển nhiều wafer

Hình ảnh sản phẩm

SiC GaN Wafer1

Tấm silicon cacbua (SiC)

Tấm wafer Silicon Carbide (SiC) là một loại vật liệu bán dẫn được sử dụng trong sản xuất các thiết bị điện tử và quang điện tử yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao, điện áp cao và tần số cao. SiC là vật liệu bán dẫn có dải rộng, có nghĩa là nó có điện áp đánh thủng cao hơn và có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn các chất bán dẫn thông thường như silicon.

Các tấm wafer SiC thường được sản xuất bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT) hoặc lắng đọng hơi hóa học (CVD). Trong phương pháp PVT, tinh thể hạt SiC được đặt trong lò nhiệt độ cao và nguyên liệu nguồn, thường là silicon hoặc carbon, được nung nóng cho đến khi bay hơi. Hơi được vận chuyển bằng khí mang, điển hình là argon và lắng đọng trên tinh thể mầm, tạo thành một lớp SiC tinh thể đơn. Trong phương pháp CVD, lớp SiC được lắng đọng trên chất nền bằng phản ứng với hỗn hợp khí chứa tiền chất silicon và carbon ở nhiệt độ cao.

Sau khi tinh thể SiC phát triển, nó được cắt thành các tấm mỏng và được đánh bóng để có độ phẳng và mịn cao. Sau đó, các tấm wafer SiC thu được có thể được sử dụng làm nền tảng cho sự phát triển của các lớp bán dẫn bổ sung, có thể được pha tạp tạp chất để tạo ra các vùng loại p và loại n để chế tạo thiết bị.

Tấm wafer SiC có một số ưu điểm so với các vật liệu bán dẫn khác như silicon. SiC có độ dẫn nhiệt cao hơn, có nghĩa là nó có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn mà không bị phân hủy nhiệt. Ngoài ra, SiC có điện áp đánh thủng cao hơn và có thể hoạt động ở điện áp và tần số cao hơn silicon, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng như điện tử công suất cao và thiết bị tần số cao.

Tìm hiểu sâu hơn về các đặc tính của tấm wafer SiC

Cấu trúc dải điện tử độc đáo của tấm wafer SiC là chìa khóa cho những đặc tính đặc biệt của chúng. Khoảng cách dải rộng tạo ra rào cản lớn để các điện tử vượt qua, dẫn đến hai lợi ích chính:

Ổn định nhiệt độ cao:Nồng độ chất mang nội tại thấp có nghĩa là thiết bị SiC có thể hoạt động ở nhiệt độ cao mà không có dòng điện rò rỉ đáng kể, lý tưởng cho các môi trường đòi hỏi khắt khe.

Điện trường đánh thủng cao:Khoảng cách băng thông rộng cũng góp phần mang lại khả năng chịu được điện áp cao mạnh mẽ, cho phép sử dụng các thiết bị có điện áp chặn cao và điện trở trạng thái thấp.

Ngoài các đặc tính điện, tấm wafer SiC còn vượt trội về mặt nhiệt và cơ học.

Tản nhiệt hiệu quả:Độ dẫn nhiệt đặc biệt cho phép SiC tản nhiệt hiệu quả, một tính năng quan trọng đối với các ứng dụng năng lượng cao.

Độ bền trong môi trường khắc nghiệt:Độ bền và độ cứng cơ học cao giúp SiC có khả năng chống mài mòn, phù hợp với môi trường đòi hỏi khắt khe.

SiC có nhiều dạng khác nhau gọi là polytype, được phân biệt bằng sự sắp xếp xếp chồng của các nguyên tử silicon và carbon. Trong số này, 4H-SiC và 6H-SiC nổi bật nhất trong lĩnh vực điện tử.

4H-SiC:Được ưa chuộng cho các thiết bị điện tử công suất do tính linh động của điện tử vượt trội và dải tần rộng hơn, mang lại hiệu suất và hiệu suất cao hơn.

6H-SiC:Tìm thấy các ứng dụng trong các thiết bị có nhiệt độ cao và tần số cao do tính linh động của lỗ cao hơn và dải tần hẹp hơn một chút.

Việc lựa chọn bản lề polytype tùy theo nhu cầu của ứng dụng cụ thể. Các yếu tố như đặc tính điện mong muốn, điều kiện hoạt động và hiệu suất thiết bị mục tiêu đều đóng vai trò trong việc lựa chọn loại wafer SiC tối ưu.

tại sao chọn chúng tôi

Sản phẩm của chúng tôi có nguồn gốc độc quyền từ năm nhà sản xuất hàng đầu thế giới và các nhà máy hàng đầu trong nước. Được hỗ trợ bởi đội ngũ kỹ thuật trong nước và quốc tế có tay nghề cao cùng các biện pháp kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt.

Mục tiêu của chúng tôi là cung cấp cho khách hàng sự hỗ trợ trực tiếp toàn diện, đảm bảo các kênh liên lạc thông suốt, chuyên nghiệp, kịp thời và hiệu quả. Chúng tôi cung cấp số lượng đặt hàng tối thiểu thấp và đảm bảo giao hàng nhanh chóng trong vòng 24 giờ.

Triển lãm nhà máy

Kho hàng khổng lồ của chúng tôi bao gồm 1000+ sản phẩm, đảm bảo rằng khách hàng có thể đặt hàng chỉ với một sản phẩm. Thiết bị thái hạt lựu & mài nền do chính chúng tôi sở hữu cũng như sự hợp tác đầy đủ trong chuỗi công nghiệp toàn cầu cho phép chúng tôi vận chuyển nhanh chóng để đảm bảo sự hài lòng và thuận tiện cho khách hàng.

Giấy chứng nhận của chúng tôi

Công ty chúng tôi tự hào về các chứng nhận khác nhau mà chúng tôi đã đạt được, bao gồm chứng chỉ bằng sáng chế, chứng chỉ ISO 9001 và chứng chỉ Doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia. Những chứng nhận này thể hiện sự cống hiến của chúng tôi cho sự đổi mới, quản lý chất lượng và cam kết hướng đến sự xuất sắc.