Mô tả

Thông số kỹ thuật

Mô tả Sản phẩm

Tấm wafer giả SiC là sản phẩm chất lượng cao được sử dụng rộng rãi trong ngành bán dẫn. Nó là một tấm wafer silicon cacbua được thiết kế đặc biệt để thử nghiệm và gỡ lỗi các thiết bị bán dẫn. Tấm wafer giả SiC là một công cụ quan trọng đối với các nhà sản xuất chất bán dẫn vì nó giúp họ đảm bảo chất lượng và tính toàn vẹn của sản phẩm.

Một trong những ưu điểm chính của wafer giả SiC là độ tinh khiết và tính đồng nhất cao. Điều này đảm bảo rằng nó cung cấp kết quả chính xác và đáng tin cậy trong việc kiểm tra và gỡ lỗi các thiết bị bán dẫn. Tấm wafer cũng có độ bền cao và khả năng chống hư hỏng, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng để sử dụng trong môi trường hoạt động khắc nghiệt.

Một ưu điểm khác của wafer giả SiC là tính linh hoạt của nó. Nó có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng bán dẫn, bao gồm các thiết bị điện, thiết bị RF và quang điện tử. Điều này làm cho nó trở thành một công cụ có giá trị cho các nhà sản xuất chất bán dẫn cần thử nghiệm nhiều loại thiết bị.

4H N-LOẠI SiC 100MM, 350THÔNG SỐ KỸ THUẬT wafer μm
Số bài viết	W4H100N-4-PO (hoặc CO)-350
Sự miêu tả	Chất nền SiC 4H
đa hình	4H
Đường kính	(100+0.0-0.5) mm
độ dày	(350±25) μm (Cấp kỹ thuật ±50μm)
Loại nhà cung cấp dịch vụ	loại n
Tạp chất	Nitơ
Điện trở suất (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Cấp kỹ thuật<0.025Ω▪cm)
Định hướng wafer	(4+0.5) độ
	Lớp kỹ thuật	Lớp sản xuất	Lớp sản xuất
	2.1	2.2	2.3
Mật độ micropipe	Nhỏ hơn hoặc bằng 30cm-²	Nhỏ hơn hoặc bằng 10cm-²	Nhỏ hơn hoặc bằng 1cm-²
Khu vực miễn phí micropipe	Không được chỉ định	Lớn hơn hoặc bằng 96%	Lớn hơn hoặc bằng 96%
Định hướng phẳng (OF)
Định hướng	Song song {1-100} ±5 độ
Định hướng chiều dài phẳng	(32,5±2.0) mm
nhận dạng phẳng (IF)
Định hướng	Mặt Si: 90 độ cw, từ hướng phẳng ±5 độ
xác định chiều dài phẳng	(18.0+2.0) mm
Bề mặt	Tùy chọn1: Đánh bóng tiêu chuẩn mặt Si-Sơn đánh bóng quang học mặt C có sẵn Epi
	Tùy chọn2: Đánh bóng quang học mặt CMP, Si-face CMP Epi-ready
Bưu kiện	Hộp vận chuyển nhiều wafer (25)
	(Gói wafer đơn theo yêu cầu)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT 6H N-TYPE SiC, 2"WAFER
Số bài viết	W6H51N-0-CH-250-S
Sự miêu tả	Chất nền SiC lớp 6H sản xuất
đa hình	6H
Đường kính	(50,8±38) mm
độ dày	(250±25) à
Loại nhà cung cấp dịch vụ	loại n
Tạp chất	Nitơ
Điện trở suất (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Định hướng wafer	(0+0.5) độ
Mật độ micropipe	Nhỏ hơn hoặc bằng 100cm-²
Định hướng định hướng phẳng	Song song {1-100} ±5 độ
Định hướng chiều dài phẳng	(15,88±1,65) mm
Nhận dạng hướng phẳng	Mặt Si: 90 độ cw. hướng lông mày phẳng ±5 độ
xác định chiều dài phẳng	(8+1.65) mm
Bề mặt	Sơn bóng tiêu chuẩn Si-face Epi-ready
Bề mặt	Mặt chữ C mờ
Bưu kiện	Gói gói wafer đơn hoặc hộp vận chuyển nhiều wafer

Hình ảnh sản phẩm

SiC GaN Wafer

tại sao chọn chúng tôi

Sản phẩm của chúng tôi có nguồn gốc độc quyền từ năm nhà sản xuất hàng đầu thế giới và các nhà máy hàng đầu trong nước. Được hỗ trợ bởi đội ngũ kỹ thuật trong nước và quốc tế có tay nghề cao cùng các biện pháp kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt.

Mục tiêu của chúng tôi là cung cấp cho khách hàng sự hỗ trợ trực tiếp toàn diện, đảm bảo các kênh liên lạc thông suốt, chuyên nghiệp, kịp thời và hiệu quả. Chúng tôi cung cấp số lượng đặt hàng tối thiểu thấp và đảm bảo giao hàng nhanh chóng trong vòng 24 giờ.

Triển lãm nhà máy

Kho hàng khổng lồ của chúng tôi bao gồm 1000+ sản phẩm, đảm bảo rằng khách hàng có thể đặt hàng chỉ với một sản phẩm. Thiết bị thái hạt lựu & mài nền do chính chúng tôi sở hữu cũng như sự hợp tác đầy đủ trong chuỗi công nghiệp toàn cầu cho phép chúng tôi vận chuyển nhanh chóng để đảm bảo sự hài lòng và thuận tiện cho khách hàng.

Giấy chứng nhận của chúng tôi

Công ty chúng tôi tự hào về các chứng nhận khác nhau mà chúng tôi đã đạt được, bao gồm chứng chỉ bằng sáng chế, chứng chỉ ISO 9001 và chứng chỉ Doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia. Những chứng nhận này thể hiện sự cống hiến của chúng tôi cho sự đổi mới, quản lý chất lượng và cam kết hướng đến sự xuất sắc.