Tấm wafer Gallium Arsenide

Tấm wafer Gallium Arsenide

Một trong những ưu điểm lớn nhất của tấm wafer gali arsenide là khả năng hoạt động ở tần số rất cao. Điều này làm cho chúng trở nên lý tưởng để sử dụng trong viễn thông, công nghệ vi sóng và truyền thông vệ tinh.
Gửi yêu cầu
Nói chuyện ngay
Mô tả
Thông số kỹ thuật
Mô tả Sản phẩm

 

Một trong những ưu điểm lớn nhất của tấm wafer gali arsenide là khả năng hoạt động ở tần số rất cao. Điều này làm cho chúng trở nên lý tưởng để sử dụng trong viễn thông, công nghệ vi sóng và truyền thông vệ tinh. Ngoài ra, vật liệu này còn có độ linh động điện tử cao, nghĩa là nó có thể truyền tín hiệu nhanh hơn một số vật liệu bán dẫn khác.

 

Một lợi ích quan trọng khác của tấm wafer gallium arsenide là hiệu quả cao trong việc chuyển đổi năng lượng điện thành ánh sáng. Đặc điểm này làm cho chúng trở nên hữu ích trong sản xuất đèn LED và các sản phẩm chiếu sáng khác. Chúng cũng có đặc tính nhiệt tốt hơn các vật liệu khác và có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn mà ít thất thoát năng lượng hơn.

 

Trong lĩnh vực y tế, tấm wafer gallium arsenide cũng được sử dụng để phát triển các thiết bị y tế như máy chụp X-quang, tia laser y tế và các công cụ chẩn đoán khác. Ngoài ra, chúng còn được sử dụng trong các tấm pin mặt trời nhờ khả năng hấp thụ ánh sáng mặt trời hiệu quả và trong ngành hàng không vũ trụ để sản xuất mạch tích hợp và các linh kiện điện tử khác.

 

Kích thước và dung sai tiêu chuẩn cho wafer GaAs đường kính 150mm

Tài sản

Kích thước

Sức chịu đựng

Các đơn vị

Đường kính

150

+/-0.5

Mm

Độ dày, điểm trung tâm

     

Lựa chọn A

675

+/-25

μm

Lựa chọn B

550

+/-25

μm

Định hướng notch

[010]

+/-2

độ

Độ sâu notch

1

+0.25/-0.0

Mm

       

Kích thước và dung sai tiêu chuẩn cho tấm wafer GaAs đường kính 100mm

Tài sản

Kích thước

Sức chịu đựng

Các đơn vị

Đường kính

100

+/-0.5

Mm

Độ dày, điểm trung tâm

675

+/-25

μm

Chiều dài phẳng chính

18

+/-2

mm

Chiều dài phẳng thứ cấp

18

+/-2

mm

Có sẵn tùy chọn US/SEMI và E/J-Flat

     
       

Kích thước và dung sai tiêu chuẩn cho wafer GaAs đường kính 200mm

Tài sản

Kích thước

Sức chịu đựng

Các đơn vị

Đường kính

200

+/-0.5

mm

Độ dày, điểm trung tâm

625

+/-25

μm

Định hướng notch

[010]

+/-2

độ

Độ sâu notch

1

+0.25/-0.0

Mm

       

Kích thước và dung sai tiêu chuẩn cho tấm wafer GaAs đường kính 3 inch

Tài sản

Kích thước

Sức chịu đựng

Các đơn vị

Đường kính

76.2

+/-0.5

Mm

Độ dày, điểm trung tâm

625

+/-25

μm

Chiều dài phẳng chính

22

+/-2

Mm

Chiều dài phẳng thứ cấp

11

+/-2

Mm

Có sẵn tùy chọn US/SEMI và E/J-Flat

     

 

Hình ảnh sản phẩm

4 11

4

tại sao chọn chúng tôi

 

Sản phẩm của chúng tôi có nguồn gốc độc quyền từ năm nhà sản xuất hàng đầu thế giới và các nhà máy hàng đầu trong nước. Được hỗ trợ bởi đội ngũ kỹ thuật trong nước và quốc tế có tay nghề cao cùng các biện pháp kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt.

Mục tiêu của chúng tôi là cung cấp cho khách hàng sự hỗ trợ trực tiếp toàn diện, đảm bảo các kênh liên lạc thông suốt, chuyên nghiệp, kịp thời và hiệu quả. Chúng tôi cung cấp số lượng đặt hàng tối thiểu thấp và đảm bảo giao hàng nhanh chóng trong vòng 24 giờ.

 

Triển lãm nhà máy

 

Kho hàng khổng lồ của chúng tôi bao gồm 1000+ sản phẩm, đảm bảo rằng khách hàng có thể đặt hàng chỉ với một sản phẩm. Thiết bị thái hạt lựu & mài nền do chính chúng tôi sở hữu cũng như sự hợp tác đầy đủ trong chuỗi công nghiệp toàn cầu cho phép chúng tôi vận chuyển nhanh chóng để đảm bảo sự hài lòng và thuận tiện cho khách hàng.

01
02
03

 

Giấy chứng nhận của chúng tôi

 

Công ty chúng tôi tự hào về các chứng nhận khác nhau mà chúng tôi đã đạt được, bao gồm chứng chỉ bằng sáng chế, chứng chỉ ISO 9001 và chứng chỉ Doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia. Những chứng nhận này thể hiện sự cống hiến của chúng tôi cho sự đổi mới, quản lý chất lượng và cam kết hướng đến sự xuất sắc.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Chú phổ biến: wafer gallium arsenide, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy sản xuất wafer gallium arsenide Trung Quốc