Thay đổi kích thước wafer / Làm tròn cạnh

Quá trình thay đổi kích thước/lõi wafer

Một quy trình cắt các tấm bán dẫn có đường kính-lớn hơn thành những tấm bán dẫn có kích thước-nhỏ hơn, chủ yếu được sử dụng cho các yêu cầu về kích thước đặc biệt, chuẩn bị mẫu hoặc sản xuất-số lượng thấp.
 

Quá trình làm tròn/vát cạnh

Một quy trình mài và đánh bóng các cạnh của tấm bán dẫn để loại bỏ các vết sứt mẻ và vết nứt nhỏ tạo ra trong quá trình thái hạt lựu, từ đó cải thiện độ bền cơ học của tấm bán dẫn. Nó thường được thực hiện như một bước tiếp theo của quá trình thay đổi kích thước wafer.

SiBranch cung cấp các dịch vụ thay đổi kích thước tấm bán dẫn silicon (Si) và silicon trên chất cách điện (SOI) cực kỳ chính xác và hiệu quả. Thay đổi kích thước wafer, còn thường được gọi là lấy lõi wafer, giảm kích thước, cắt-hoặc giảm kích thước, liên quan đến việc cắt các wafer lớn hơn thành đường kính nhỏ hơn trong khi vẫn duy trì dung sai kích thước nghiêm ngặt. Chúng tôi chấp nhận các đơn đặt hàng từ tấm bán dẫn nguyên mẫu đơn lẻ đến sản xuất số lượng lớn-hàng trăm tấm bán dẫn mỗi tháng.
Là một phần trong quy trình thay đổi kích thước của chúng tôi, chúng tôi cũng cung cấp các dịch vụ làm tròn cạnh (cạnh cạnh) chính xác để loại bỏ sứt mẻ cạnh, vết nứt nhỏ và nồng độ ứng suất, cải thiện đáng kể độ bền cơ học của tấm bán dẫn và năng suất xử lý.
Chúng tôi thường xuyên xử lý các tấm bán dẫn ở tất cả các đường kính tiêu chuẩn: 2" (50 mm), 3" (75 mm), 4" (100 mm), 5" (125 mm), 6" (150 mm), 8" (200 mm) và 12" (300 mm), với các kích thước tùy chỉnh có sẵn theo yêu cầu.

Khả năng

Sau đây là khả năng thay đổi kích thước wafer của chúng tôi:

Xử lý bất kỳ đường kính wafer nào lên tới 300mm

Xử lý tấm wafer mỏng tới 0,150mm

Đạt được các tấm wafer có kích thước hoàn chỉnh ở bất kỳ đâu từ 50mm đến 200mm

Sản xuất nhiều tấm wafer có kích thước khác nhau từ một tấm wafer duy nhất. Ví dụ: chúng ta có thể sản xuất hai tấm wafer 100mm từ một tấm wafer 200mm.

Sản xuất SEMI-phẳng tiêu chuẩn +/- 0.002 độ

Tạo rãnh khía tiêu chuẩn SEMI-trong tấm bán dẫn đã thay đổi kích thước

Dung sai +/- 0.100mm trên kích thước OD

Dung sai +/- 0.050mm ở vị trí trung tâm

Offset tâm wafer để tối đa hóa năng suất khuôn

Laser ghi lại ID wafer trên wafer đã thay đổi kích thước để kiểm soát nhận dạng wafer

Làm tròn / vát cạnh wafer

Chất làm mát mài bằng nước khử ion (DI) có độ tinh khiết cao-

Cắt, làm mỏng hoặc bước cạnh của tấm wafer đã thay đổi kích thước

Xúc xắc hoàn chỉnh từ tàn tích của wafer ban đầu